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半导体物理性能手册第1卷 / Springer手册精选原版系列

￥198.00定价

作者： (日)足立贞夫

出版时间：2014年4月

出版社：哈尔滨工业大学

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基本信息评价

内容简介

　　足立贞夫所著的《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：

　　Structural Properties结构特性

　　Thermal Properties热学性质

　　Elastic Properties弹性性质

　　Phonons and Lattice Vibronic Properties声子与晶格振动性质

　　Collective Effects and Related Properties集体效应及相关性质

　　Energy-Band Structure：Energy-Band Gaps能带结构：能带隙

　　Energy-Band Structure：Electron and Hole Effective Masses能带结构：电子和空穴的有效质量

　　Electronic Deformation Potential电子形变势

　　ElectronAffinity and Schottky Barrier Height电子亲和能与肖特基势垒高度

　　Optical Properties光学性质

　　Elastooptic，Electrooptic，andNonlinear Optical Properties弹光、电光和非线性光学性质

　　Cartier Transport Properties载流子输运性质

　　适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。

　　本册为第一卷。

Preface

Acknowledgments

Contents of Other Volumes

1 Diamond (C)

2 Silicon (Si)

3 Germanium (C)

4 Gray Tin (α-Sn)

5 Cubic Silicon Carbide (3C-SiC)

6 Hexagonal Silicon Carbide (2H-, 4H-, 6H-SiC, etc.)

7 Rhombohedral Silicon Carbide (15R-, 21R-, 24R-SiC, etc.)