半导体物理性能手册 第3卷 下 / Springer手册精选原版系列
作者： (日)足立贞夫
出版时间：2014年4月
出版社：哈尔滨工业大学
- 哈尔滨工业大学
- 9787560345192
- 85184
- 2014年4月
- 未分类
- 未分类
- TN304-62
足立贞夫所著的《半导体物理性能手册》介绍了各族半导体、化合物半导体的物理性能，包括：
Structural Properties结构特性
Thermal Properties热学性质
Elastic Properties弹性性质
Phonons and Lattice Vibronic Properties声子与晶格振动性质
Collective Effects and Related Properties集体效应及相关性质
Energy-Band Structure：Energy-Band Gaps能带结构：能带隙
Energy-Band Structure：Electron and Hole Effective Masses能带结构：电子和空穴的有效质量
Electronic Deformation Potential电子形变势
ElectronAffinity and Schottky Barrier Height电子亲和能与肖特基势垒高度
Optical Properties光学性质
Elastooptic，Electrooptic，andNonlinear Optical Properties弹光、电光和非线性光学性质
Cartier Transport Properties载流子输运性质
适用对象包括材料、微电子学、电子科学与技术等专业的本科生和研究生，以及从事半导体研究的专业人员。
本册为第3卷下。
Preface
Acknowledgements
Contents of Other Volumes
10 Cubic Cadmium Sulphide (c-CdS)
11 Wurtzite Cadmium Sulphide (w-CdS)
12 Cubic Cadmium Selenide (c-CdSe)
13 Wurtzite Cadmium Selenide (w-CdSe)
14 Cadmium Telluride (CdTe)
15 Cubic Mercury Sulphide (β-HgS)
16 Mercury Selenide (HgSe)
17 Mercury Telluride (HgTe)
