上篇光伏材料物理实用基础篇 / 1模块一光伏材料基础21.1光伏材料的分类21.1.1硅材料21.1.2化合物半导体薄膜材料31.2半导体材料的物理特性41.2.1半导体材料的共性41.2.2硅材料的特殊物理性质41.2.3化合物半导体材料的特殊性质5实训一采用四探针测试仪测量硅材料的电阻7思考题8模块二晶体结构与缺陷92.1晶体的构造92.1.1晶体与非晶体92.1.2晶体的格子构造92.1.3晶胞与14种空间结构92.2晶体的特性112.2.1晶体的规则外形112.2.2晶体的固定熔点112.2.3晶体的各向异性122.2.4晶体的解理性132.2.5晶体的稳定性132.3典型的晶体结构132.3.1晶体的分类132.3.2半导体材料的典型结构132.4晶面、晶向152.4.1晶面指数152.4.2晶向指数152.4.3晶面间距152.4.4晶面夹角152.5晶体缺陷162.5.1点缺陷162.5.2线缺陷172.5.3面缺陷172.5.4体缺陷19实训二采用X射线衍射法测试硅片的表面取向19思考题20模块三杂质与缺陷能级213.1能带的形成213.1.1电子的共有化213.1.2能级、能带、能隙213.1.3导体、半导体、绝缘体的能带结构223.2半导体中的杂质与掺杂223.2.1半导体纯度的表示223.2.2半导体的杂质效应及影响223.2.3半导体的掺杂与型号233.2.4电子、空穴的产生24实训三傅里叶红外光谱仪测试硅晶体中杂质含量24思考题25模块四热平衡状态下的载流子和非平衡状态下的载流子264.1热平衡状态下的载流子264.1.1费米分布函数264.1.2状态密度274.1.3导带电子浓度和价带空穴浓度274.1.4本征半导体的载流子浓度284.1.5掺杂半导体的载流子浓度284.2非平衡状态下的载流子294.2.1非平衡载流子的产生与复合294.2.2非平衡载流子的寿命30实训四采用少子寿命仪测量硅片的少子寿命30思考题31模块五P-N结325.1P-N结的形成325.1.1载流子的扩散运动325.1.2载流子的飘移运动325.2P-N结的制备及杂质分布图335.3P-N结的能带结构及接触电势335.4P-N结的特性345.4.1P-N结的电流电压特性345.4.2P-N结的电容特性345.4.3P-N结的击穿效应345.4.4P-N结的光伏效应35思考题35下篇光伏材料化学实用基础篇 / 36模块六光伏材料化学特性376.1硅及其重要化合物376.1.1硅376.1.2二氧化硅416.1.3氮化硅426.1.4碳化硅426.1.5四氯化硅436.1.6三氯氢硅436.1.7硅酸446.1.8硅烷446.1.9锗456.2GaAs456.3CdTe薄膜材料的工艺化学原理46思考题47模块七外延工艺化学原理487.1外延工艺中气相抛光原理487.2外延生长的化学原理497.3氢气的纯化507.3.1分子筛纯化氢气的原理507.3.2分子筛的类型和组成507.3.3分子筛的特性517.3.4分子筛的再生517.4常用的脱水剂(干燥剂)517.5脱氧剂——105催化剂527.6钯管的纯化原理537.7氢气中其他杂质的净化剂53模块八化学清洗及纯水的制备548.1化学清洗548.1.1硅片表面沾污的杂质548.1.2化学清洗的原理558.1.3硅片清洗的一般步骤及注意事项608.2纯水的制备60模块九硅片表面的化学机械抛光629.1表面抛光的分类629.2表面抛光的原理629.2.1铬离子化学机械抛光629.2.2二氧化硅胶体化学机械抛光62模块十半导体材料化学腐蚀原理6410.1化学腐蚀的原理6410.1.1半导体材料的腐蚀6410.1.2二氧化硅的腐蚀6510.1.3氮化硅的腐蚀6610.1.4金属的腐蚀6610.2影响化学腐蚀的因素68模块十一扩散制结化学原理7011.1扩散基本理论7011.1.1扩散杂质的选择7011.1.2扩散原理7111.2磷扩散化学原理7311.2.1液态源7311.2.2气态源7511.2.3固态源7511.3硼扩散化学原理7511.3.1液态源7611.3.2固态源7711.3.3气态源77模块十二刻蚀工艺化学原理7912.1光刻7912.2聚乙烯醇肉桂酸酯光刻胶8012.3光刻工艺的化学原理8212.4其他光致抗蚀剂的介绍84模块十三表面钝化和镀减反射膜的化学原理8813.1二氧化硅钝化膜8813.2磷硅玻璃钝化膜9113.3氮化硅钝化膜9213.4三氧化二铝钝化膜94模块十四丝网印刷9814.1丝网印刷的浆料组成9814.2丝网印刷制备电极的原理9914.3丝网印刷化学品的防护101模块十五化学储能电池10415.1铅酸蓄电池10415.2锂离子电池10715.3镍氢电池108参考文献110