功率半导体器件与应用 / 国际电气工程先进技术译丛
作者： [瑞士]斯蒂芬·林德著
译者：肖曦、李虹 译；
出版时间：2016年5月
出版社：机械工业出版社
- 机械工业出版社
- 9787111534570
- 1-1
- 44925
- 0044176831-4
- 平装压膜
- B5
- 2016年5月
- 233
- 184
- 工学
- 电子科学与技术
- TN303
- 电力电子、电气工程及自动化
- 研究生、本科
本书既可以作为电气工程专业、自动化专业本科生和研究生的教学用书，也可作为电力电子领域工程技术人员的参考用书。
译者序
原书前言
第1章 半导体物理基础
1.1 硅的结构和特性
1.2 电荷迁移
1.3 载流子注入
1.4 电荷载流子的激发和复合
1.5 连续性方程
1.6 泊松方程
1.7 强场效应
第2章 pn结
2.1 pn结的内建电压
2.2 耗尽层（空间电荷区）
2.3 pn结的伏安特性
2.4 射极效率
2.5 实际的pn结
第3章 pin二极管
3.1 高压二极管的基本结构
3.2 pin二极管的导通状态
3.3 pin二极管的动态工况
3.4 二极管反向恢复的瞬变过程
3.5 二极管工作条件的限制
3.6 现代pin二极管的设计
第4章 双极型晶体管
4.1 双极型晶体管的结构
4.2 双极型晶体管的电流增益
4.3 双极型晶体管的电流击穿
4.4 正向导通压降
4.5 基极推出(“柯克”效应
4.6 二次击穿
第5章 晶闸管
5.1 晶闸管的结构和工作原理
5.2 触发条件
5.3 静态伏安特性
5.4 正向阻断模式和亚稳态区域
5.5 晶闸管擎住状态
5.6 反向阻断状态下的晶闸管
5.7 开通特性
5.8 关断特性
第6章 门极关断（GTO）晶闸管与门极换流晶闸管（GCT）
集成门极换流晶闸管（IGCT）1106.1 GTO晶闸管
第7章 功率M
7.1 场效应晶体管基本理论
7.2 场效应晶体管的I（V）特性
7.3 功率场效应晶体管的结构
7.4 功率场效应晶体管的开关特性
7.5 雪崩效应
7.6 源极漏极二极管（体二极管）
第8章
8.1 IGBT的结构和工作原理
8.2 IGBT的I（V）特性
8.3 IGBT的开关特性
8.4 短路特性
8.5 IGBT的强度
8.6 IGBT损耗的折中方案
附录
附录A 符号表
附录B 常数
附录C 单位
附录D 单位词头（十进倍数和分数单位词头）
附录E 书写约定
附录F 电气工程中的电路图形符号
附录G 300K时的物质特性
附录H 缩略语
参考文献
