译者序

序

前言

第1章  功率半导体

  1.1 简介

    1.1.1 本征载流子浓度

    1.1.2 掺杂

    1.1.3 载流子在半导体中的运动

    1.1.4 载流子的产生与复合

    1.1.5 PN结

    1.1.6 反向击穿

    1.1.7 制造工艺

  1.2 二极管

    1.2.1 快恢复二极管

    1.2.2 电源（整流）二极管

    1.2.3 肖特基二极管

    1.2.4 齐纳二极管与雪崩二极管

  1.3 晶闸管

  1.4 双极结型晶体管和场效应晶体管

    1.4.1 双极结型晶体管（BJT）

    1.4.2 场效应晶体管（FET）

  1.5 绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

    1.5.1 穿通（PT）IGBT

    1.5.2 非穿通（NPT）IGBT

    1.5.3 场终止（FS）IGBT

    1.5.4 沟槽栅（Trench）IGBT

    1.5.5 载流子储存沟槽栅双极晶体管（CSTBTTM）

    1.5.6 注入增强栅晶体管（IEGT）

    1.5.7 沟槽栅场终止（Trench-FSIGBT）

    1.5.8 逆导型IGBT（RCIGBT）

    1.5.9 IGBT集成的额外功能

  1.6 前景展望

  1.7 制造商

  本章参考文献

第2章  IGBT器件结构

  2.1 简介

  2.2 IGBT模块的材料

    2.2.1 塑料框架

    2.2.2 衬底

    2.2.3 基板

    2.2.4 塑模材料、环氧树脂和硅胶

  2.3 电气键合工艺

    2.3.1 内部电气连接技术

    2.3.2 外部电气连接技术

  2.4 设计理念

    2.4.1 标准IGBT模块

    2.4.2 压接式IGBT

    2.4.3 智能功率模块（IPM）

    2.4.4 IGBT模制模块

    2.4.5 分立式IGBT

    2.4.6 套件

  2.5 半导体的内部并联

  2.6 低感设计

  2.7 IGBT模块的电路拓扑

  2.8 IGBT绝缘配合

    2.8.1 电气间隙和爬电距离

    2.8.2 绝缘电压

    2.8.3 局部放电

  2.9 制造商概览

  本章参考文献

第3章  电气特性

  3.1 简介

  3.2 二极管的正向特性

  3.3 二极管的开关特性

    3.3.1 二极管的开通

    3.3.2 二极管的关断

  3.4 IGBT的正向特性

  3.5 IGBT的开关特性

    3.5.1 IGBT的开通特性

    3.5.2 IGBT的关断特性

    3.5.3 栅极电荷和密勒效应

    3.5.4 NPTIGBT与沟槽栅IGBT关断特性比较分析

  ……

第4章  热原理

第5章  模块数据手册

第6章  IGBT驱动

第7章  实际应用中的开关特性

第8章  IGBT模块的并联和串联

第9章  射频振荡

第10章  机械安装指导

第11章  基本电路与应用实例

第12章  信号测量和仪器

第13章  逆变器设计

第14章  质量与可靠性

附录  名词术语缩写