半导体制造工艺（第2版）（赠电子课件） / 高职高专十二五电子信息类规划教材
￥34.00定价
作者： 张渊
出版时间：2010年11月
出版社：机械工业出版社
- 机械工业出版社
- 9787111507574
- 194578
- 0063177450-2
- 16开
- 2010年11月
- 252
- 工学
- 电子科学与技术
- TN305
- 电子信息
- 高职高专
内容简介
本教材简要介绍了半导体器件基本结构、半导体器件工艺的发展历史、半导体材料基本性质及半导体制造中使用的化学品，以典型的CMOS管的制造实例为基础介绍了集成电路的制造过程及制造过程中对环境的要求及污染的控制。重点介绍了包括清洗、氧化、化学气相淀积、金属化、光刻、刻蚀、掺杂、平坦化几大集成电路制造工艺的工艺原理工艺过程，工艺设备、工艺参数、质量控制及工艺模拟的相关内容。
目录
前言
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 基本半导体元器件结构
1.3 半导体器件工艺的发展历史
1.4 集成电路制造阶段
1.5 半导体制造企业
1.6 基本的半导体材料
1.7 半导体制造中使用的化学品
1.8 半导体制造的生产环境
本章小结
本章习题
第2章 半导体制造工艺概况
2.1 引言
2.2 器件的隔离
2.3 双极型集成电路制造工艺
2.4 CMOS器件制造工艺
本章小结
本章习题
第3章 清洗工艺
3.1 引言
3.2 污染物杂质的分类
3.3 清洗方法
3.4 常用清洗设备——超声波清洗设备
3.5 清洗的质量控制
本章小结
本章习题
第4章 氧化
4.1 引言
4.2 二氧化硅膜的性质
4.3 二氧化硅膜的用途
4.4 热氧化方法及工艺原理
4.5 氧化设备
4.6 氧化工艺操作流程
4.7 氧化膜的质量控制
本章小结
本章习题
第5章 化学气相淀积
5.1 引言
5.2 化学气相淀积（CVD）原理
5.3 化学气相淀积设备
5.4 CVD工艺流程及设备操作规范
5.5 外延
5.6 CVD质量检测
本章小结
本章习题
第6章 金属化
第7章 光刻
第8章 刻蚀
第9章 掺杂
第10章 平坦化
第11章 工艺模拟
参考文献
第1章 绪论
1.1 引言
1.2 基本半导体元器件结构
1.3 半导体器件工艺的发展历史
1.4 集成电路制造阶段
1.5 半导体制造企业
1.6 基本的半导体材料
1.7 半导体制造中使用的化学品
1.8 半导体制造的生产环境
本章小结
本章习题
第2章 半导体制造工艺概况
2.1 引言
2.2 器件的隔离
2.3 双极型集成电路制造工艺
2.4 CMOS器件制造工艺
本章小结
本章习题
第3章 清洗工艺
3.1 引言
3.2 污染物杂质的分类
3.3 清洗方法
3.4 常用清洗设备——超声波清洗设备
3.5 清洗的质量控制
本章小结
本章习题
第4章 氧化
4.1 引言
4.2 二氧化硅膜的性质
4.3 二氧化硅膜的用途
4.4 热氧化方法及工艺原理
4.5 氧化设备
4.6 氧化工艺操作流程
4.7 氧化膜的质量控制
本章小结
本章习题
第5章 化学气相淀积
5.1 引言
5.2 化学气相淀积（CVD）原理
5.3 化学气相淀积设备
5.4 CVD工艺流程及设备操作规范
5.5 外延
5.6 CVD质量检测
本章小结
本章习题
第6章 金属化
第7章 光刻
第8章 刻蚀
第9章 掺杂
第10章 平坦化
第11章 工艺模拟
参考文献
