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出版时间:2003年2月

出版社:西安交大

以下为《模拟CMOS集成电路设计》的配套数字资源,这些资源在您购买图书后将免费附送给您:
  • 西安交大
  • 9787560516066
  • 160623
  • 2003年2月
  • 未分类
  • 未分类
  • TN431.102
内容简介

  毕查德·拉扎维编著的这本《模拟CMOS集成电路设计》介绍模拟CMOS集成电路的分析与设计。从直观和严密的角度阐述了各种模拟电路的基本原理和概念,同时还阐述了在SOC中模拟电路设计遇到的新问题及电路技术的新发展。《模拟CMOS集成电路设计》由浅入深,理论与实际结合,提供了大量现代工业中的设计实例。全书共18章。前10章介绍各种基本模块和运放及其频率响应和噪声。第11章至第13章介绍带隙基准、开关电容电路以及电路的非线性和失配的影响,第14、15章介绍振荡器和没相环。第16章至18章介绍MOS器件的高阶效应及其模型、CMOS制造工艺和混合信号电路的版图与封装。


  《模拟CMOS集成电路设计》是现代模拟集成电路设计的理想教材或参考书。可供与集成电路领域有关的各电类专业的高年级本科生和研究生使用,也可供从事这一领域的工程技术人员自学和参考。

目录

作者简介


中文版前言


译者序



致谢


第1章 模拟电路设计绪论


第2章 MOS器件物理基础


第3章 单级放大器


第4章 差动放大器


第5章 无源与有源电流镜


第6章 放大器的频率特性


第7章 噪声


第8章 反馈


第9章 运算放大器


第10章 稳定性与频率补偿


第11章 带隙基准


第12章 开关电容电路


第13章 非线性与不匹配


第14章 振荡器


第15章 锁相环


第16章 短沟道效应与器件模型


第17章 CMOS工艺技术


第18章 版图与封装


英汉词汇对照