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出版时间:2017年8月

出版社:机械工业出版社

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  • 机械工业出版社
  • 9787111278054
  • 1-2
  • 97802
  • 65186702-0
  • 平装
  • 16开
  • 2017年8月
  • 243
  • 160
  • 工学
  • 电子科学与技术
  • TN4
  • 电气信息类
  • 高职
内容简介
本书为微电子技术专业的入门教材。主要内容包括微电子科学技术的发展历程及微电子学的特点,半导体物理与器件基础,集成电路基础,集成电路制造工艺,集成电路的设计,集成电路设计的CAD系统以及系统芯片设计。
本书内容安排合理,坚持“实用为主,够用为度”的原则,结构清晰,语言通俗易懂。通过本书的学习,既对微电子学有一个全面的、概要的了解,学习后又不觉得肤浅,并把微电子学领域的一些最新观点、最新成果涵盖其中。
本书可作为高职高专电子信息类、电气类各专业的教材,也可供微电子技术专业人员参考。
目录
前言第1章 绪论 1.1 微电子科学技术的发展历程  1.1.1 晶体管的发明  1.1.2 集成电路的发展历史及规律  1.1.3 我国微电子技术的发展概况 1.2 微电子学的特点 习题一第2章 半导体物理与器件基础 2.1 半导体的特性  2.1.1 半导体材料  2.1.2 半导体的晶格结构  2.1.3 半导体能带结构  2.1.4 半导体的导电性 2.2 半导体中的载流子  2.2.1 本征半导体  2.2.2 杂质半导体  2.2.3 半导体中载流子的统计分布 2.3 PN结  2.3.1 平衡状态下的PN结  2.3.2 PN结的单向导电性  2.3.3 PN结的伏一安特性  2.3.4 PN结的击穿  2.3.5 PN结电容  2.3.6 异质PN结 2.4 双极型晶体管  2.4.1 双极型晶体管的基本结构  2.4.2 双极型晶体管的直流放大原理  2.4.3 双极型晶体管的直流特性  2.4.4 双极型晶体管的反向电流和击穿电压  2.4.5 双极型晶体管的频率特性 2.5 MOS场效应晶体管  2.5.1 MOS场效应晶体管的基本结构  2.5.2 MOS场效应晶体管的工作原理  2.5.3 MOS场效应晶体管的直流特性曲线  习题二第3章 集成电路基础 3.1 概述  3.1.1 集成电路的分类  3.1.2 集成电路的发展史  3.1.3 集成电路制造简介 3.2 双极型晶体管集成电路基础  3.2.1 平面双极型晶体管的结构  3.2.2 双极型晶体管模拟集成电路  3.2.3 双极型晶体管数字集成电路 3.3 场效应晶体管集成电路基础  3.3.1 集成电路中的场效应晶体管  3.3.2 MOS集成电路  3.3.3 CMOS集成电路  3.3.4 BiCMOS集成电路 习题三第4章 集成电路制造工艺 4.1 工艺技术 4.2 基本工艺步骤 4.3 CMOS集成电路的工艺流程 4.4 氧化  4.4.1 SiO2的性质及其作用  4.4.2 热氧化形成SiO2的机理  4.4.3 SiO2的制备方法  4.4.4 高温炉设备  4.4.5 热氧化工艺 4.5 光刻  4.5.1 光刻工艺简介  4.5.2 几种常见的光刻方法  4.5.3 超细线条光刻技术 4.6 刻蚀 4.7 扩散  4.7.1 扩散的基本原理  4.7.2 扩散工艺 4.8 离子注入  4.8.1 离子注入简介  4.8.2 离子注入的原理 ……第5章 集成电路设计第6章 集成电路设计的EDA系统 第7章 系统芯片设计附录参考文献