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出版时间:2015年3月

出版社:清华大学出版社

以下为《模拟CMOS集成电路设计(影印版)》的配套数字资源,这些资源在您购买图书后将免费附送给您:
  • 清华大学出版社
  • 9787302108863
  • 1-7
  • 77976
  • 16开
  • 2015年3月
  • 工学
  • 控制科学与工程
  • O235
  • 电工电子
  • 本专科、高职高专
内容简介
模拟集成电路的设计与其说是一门技术,还不如说是一门艺术。它比数字集成电路设计需要更严格的分析和更丰富的直觉。严谨坚实的理论无疑是严格分析能力的基石,而设计者的实践经验无疑是诞生丰富直觉的源泉。这也正足初学者对学习模拟集成电路设计感到困惑并难以驾驭的根本原因。
美国加州大学洛杉机分校(UCLA)Razavi教授凭借着他在美国多所著名大学执教多年的丰富教学经验和在世界知名*公司(AT&T,Bell Lab,HP)卓著的研究经历为我们提供了这本优秀的教材。本书自2000午出版以来得到了国内外读者的好评和青睐,被许多国际知名大学选为教科书。同时,由于原著者在世界知名*公司的丰富研究经历,使本书也非常适合作为CMOS模拟集成电路设计或相关领域的研究人员和工程技术人员的参考书。
目录
About the AuthorPrefaceAcknowledgments1 Introduction to Analog Design 1.1 Why Analog? 1.2 Why Inegrated? 1.3 Why CMOS? 1.4 Why This Book? 1.5 General Concepts2 Basic MOS Device Physics 2.1 General Considerations 2.2 MOS I/V Characteristics 2.3 Second-Order Effects 2.4 MOS Device Model3 Single-Stage Amplifiers 3.1 Basic Concepts 3.2 Common-Source Stage 3.3 Source Follower 3.4 Common-Gate Stage 3.5 Cascode Stage 3.6 Choice of Device Models4 Differential Amplifiers ……5 Passive and Active Current Mirrors6 Frequency Response of Amplifiers7 Noise8 Feedback9 Operational Amplifiers10 Stability and Frequency Compensation11 Bandgap References12 Introduction to Switched-Capacitor Circuits13 Nonlinearity and Mismatch14 Oscillators15 Phase-Locked LoopsAppendix A Short-Channel Effects and Device ModelsAppendix B CMOS Processing TechnologyAppendix C Layout and PackagingIndex