第0章  绪论

  0.1  何谓集成电路工艺

  0.2  集成电路制造技术发展历程

  0.3  集成电路制造技术特点

    0.3.1  超净环境

    0.3.2  超纯材料

    0.3.3  批量复制和广泛的用途

  0.4  本书内容结构

第1单元  硅衬底

第1章  单晶硅特性

  1.1  硅晶体的结构特点

    1.1.1  硅的性质

    1.1.2  硅晶胞

    1.1.3  硅单晶的晶向、晶面

  1.2  硅晶体缺陷

    1.2.1  点缺陷

    1.2.2  线缺陷

    1.2.3  面缺陷和体缺陷

  1.3  硅晶体中的杂质

    1.3.1  杂质对硅电学性质的影响

    1.3.2  固溶度和相图

  本章小结

第2章  硅片的制备

  2.1  多晶硅的制备

    2.1.1  冶炼

    2.1.2  提纯

  2.2  单晶硅生长

    2.2.1  直拉法

    2.2.2  单晶生长原理

    2.2.3  晶体掺杂

    2.2.4  磁控直拉法

    2.2.5  悬浮区熔法

  2.3  切制硅片

    2.3.1  切片工艺

    2.3.2  硅片规格及用途

  本章小结

第3章  外延

  3.1  概述

    3.1.1  外延概念

    3.1.2  外延工艺种类

    3.1.3  外延工艺用途

  3.2  气相外延

    3.2.1  硅的气相外延工艺

    3.2.2  外延原理

    3.2.3  影响外延生长速率的因素

    3.2.4  外延掺杂

    3.2.5  外延设备

    3.2.6  外延技术

  3.3  分子束外延

    3.3.1  工艺及原理

    3.3.2  外延设备

    3.3.3  MBE工艺特点

  3.4  其他外延方法

    3.4.1  液相外延

    3.4.2  固相外延

    3.4.3  先进外延技术及发展趋势

  3.5  外延缺陷与外延层检测

    3.5.1  外延缺陷类型及分析检测

    3.5.2  图形漂移和畸变现象

    3.5.3  外延层参数测量

  本章小结

  单元习题一

第2单元  氧化与掺杂

第4章  热氧化

  4.1  二氧化硅薄膜概述

    4.1.1  二氧化硅结构

    4.1.2  二氧化硅的理化性质及用途

    4.1.3  二氧化硅薄膜中的杂质

    4.1.4  杂质在SiO2中的扩散

    4.1.5  二氧化硅的掩蔽作用

  4.2  硅的热氧化

    4.2.1  热氧化工艺

    4.2.2  热氧化机理

    4.2.3  硅的Deal-Grove热氧化模型

    4.2.4  热氧化生长速率

    4.2.5  影响氧化速率的各种因素

  4.3  初始氧化阶段及薄氧化层制备

  4.4  热氧化过程中杂质的再分布

    4.4.1  杂质的分凝效应

    4.4.2  再分布对硅表面杂质浓度的影响

  4.5  氧化层的质量及检测

    4.5.1  SiO2层厚度的测量

    4.5.2  SiO2层成膜质量的测量

  4.6  其他氧化方法

……

第5章  扩散

第6章  离子注入

第3单元  薄膜制备

第7章  化学气相淀积

第8章  物理气相淀积

第4单元  光刻

第9章  光刻工艺

第10章  光刻技术

第11章  刻蚀技术

第5单元  工艺集成与封装测试

第12章  工艺集成

第13章  工艺监控

第14章  封装与测试

附录A  微电子器件制造生产实习

附录B  SUPREM模拟

参考文献